АННОТАЦИЯ
В рамках теории функционала плотности теоретически исследовано строение и свойства поверхности (001) чистого оксида индия In2O3 и оксида индия, легированного оловом (indium tin oxide, ITO). В расчетах использован обменно-корреляїгионньгй функционал PBE и ультрамягкие псевдопотенциалы. Результаты расчетов зонных структур кристаллических объемных In2O3 и ITO и их кристаллических пластин с поверхностью (001) при разных степенях окисления сопоставлены между собой, и выявлены особенности зонной структуры, связанные с поверхностными состояниями. Проанализирована зависимость рассчитанной работы выхода электрона с поверхности (001) In2O3 и ITO от степени окисления поверхности. Установлено, что с увеличением степени окисления поверхности работа выхода электрона увеличивается.
ЦИТАТА
Первопринципное исследование работы выхода электрона с поверхности (001) оксида индия (In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>) и оксида индия, легированного оловом (ITO), в зависимости от степени окисле ния поверхности / Р.Ф. Минибаев, А.А. Багатурьянц, Д.И. Бажанов, А.А. Книжник, М.В. Алфимов. // Российские нанотехнологии. – 2009. – Т. 4. – № 9-10. – С. 88-93
