АННОТАЦИЯ
Выполнен анализ изображения квантово-каскадной гетероструктуры, сделанного с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Гетероструктура, содержащая 185 периодов и четыре квантовые ямы GaAs/Al0.15Ga0.85As в каждом периоде, была выращена методом МОС-гидридной эпитаксии. Для выявления различий в отклонении состава на границе "барьер/квантовая яма" и "квантовая яма/барьер" при интерполяции экспериментального профиля гетерограниц были использованы различные законы размытия состава (нормальный, экспоненциальный и несимметричный экспоненциальный). Теоретически исследовано влияние конечной толщины образца на характеристики флуктуаций состава, получены спектры и автокорреляционные функции флуктуаций состава. Проведены оценки толщины шероховатостей гетерограниц и их корреляционной длины.
ЦИТАТА
Анализ ПЭМ-изображения квантово-каскадной лазерной гетероструктуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии / А.А. Афоненко, А.А. Афоненко, Д.В. Ушаков, Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, С.С. Пушкарев, Р.А. Хабибуллин // Физика и техника полупроводников. – 2024. – Т. 58. – № 4. – С. 179-184
