АННОТАЦИЯ
В данной главе детально рассмотрены факторы, определяющие возможности реализации на основе материальной системы кадмий-ртуть-теллур (КРТ) приборных лазерных структур среднего и дальнего ИК диапазонов с оптической либо токовой накачкой. Последовательно обсуждаются вопросы характеризации выращиваемых гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) HgTe/CdHgTe с применением методик спектроскопии фотолюминесценции и фотопроводимости, изучения доминирующих механизмов межзонной рекомбинации неравновесных носителей заряда и условий достижения инверсной населенности в таких КЯ, а также вопросы конструирования эффективных волноведущих структур, обеспечивающих локализацию длинноволнового излучения с минимумом сопутствующих оптических потерь. На основании проведенных исследований предложены технологически доступные решения для формирования межзонных КРТ-лазеров, излучающих на длинах волн более 20 мкм в режиме оптической накачки. Касательно более длинноволновых излучателей, проведены модельные расчеты и предложены оригинальные дизайны униполярных каскадных лазеров с КЯ HgCdTe/CdHgTe для диапазона частот 6 10 ТГц - в полосе остаточных лучей GaAs - с ожидаемыми температурами генерации не менее 80-100K
ЦИТАТА
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ МЕЖЗОН-НОЙ РЕЛАКСАЦИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НО-СИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ HgCdTe/CdHgTe ДЛЯ ЛАЗЕРОВ СРЕДНЕГО И ДАЛЬНЕГО ИК ДИАПАЗОНОВ / В.Я. Алешкин, А.А. Афоненко, В.И. Гавриленко, А.А. Дубинов, С.А. Дворецкий, М.С. Жолудев, К.Е. Кудрявцев, Н.Н. Михайлов, С.В. Морозов, В.Г. Ремесник, А.О. Рудаков, В.В. Румянцев, В.В. Уточкин, Д.В. Ушаков, М.А. Фадеев. В книге: Квантовые структуры для посткремниевой электроники. – 2023. – С. 39-52
